2024/11/4 91

1N5711 Schottky Diode: alternatyvos, funkcijos ir duomenų lapas

1N5711 Schottky diodas išsiskiria dėl jo sugebėjimo perjungti nepaprastu greičiu, suporuotu su žymiai mažu į priekį įtampos kritimu.Šis straipsnis gilinasi į 1N5711 charakteristikas ir taikymą, pabrėžiant jo didelį indėlį į ekologiškus technologijų pažangą.Tyrinėdami savo atributus ir praktinius įgyvendinimus, mes siekiame pateikti išsamų supratimą apie jo poveikį šiuolaikiniam elektronikos dizainui ir našumui.

Katalogas

1N5711 apžvalga

1N5711 Diodas sudėtingai maišo metalą ir silicį, leisdamas jam pasiekti ne tik puikią aukšto skilimo įtampą, bet ir nepaprastai greitai perjungiančias galimybes.Veiksmingas jo taikymas UHF/VHF aptikimo ir impulsų užduotyse lemia jo plati eksploatavimo diapazonas.„Diode's DO-35“ paketas siūlo patikimumą su priekine srovės slenksčiu 15 mA, suporuota su į priekine 0,41 V įtampa.Suderinant su standartinėmis švino metodikomis, jos naudojimas yra lengvai naudojamas per skylių montavimo procesus, padidindamas savo funkcinį patrauklumą ir prisidedant prie inžinerinio pasitenkinimo jausmo.

1N5711 PIN konfigūracija

1N5711 simbolis ir CAD modelis

1N5711 savybės

Patvirtintas apsaugos sluoksnis

Į 1N5711 diodą sudaro įtvirtintas apsaugos sluoksnis, kuris padidina jo gebėjimą atlaikyti staigų įtampos viršįtampius.Šis sluoksnis sumažina staigaus įtampos smaigalių pažeidimo riziką ir suteikia diodui ilgesnį eksploatavimo laiką.Toks dizainas iš ankstesnių elektroninių gedimų dėl nepakankamos per didelės įtampos apsaugos, dėl kurios dažnai atsirado brangu prastovą ir remontą.

Išskirtinai žema aktyvavimo įtampa

Tai, kas iš tikrųjų išskiria 1N5711, yra nepaprastai žema aktyvavimo įtampa.Ši funkcija leidžia diodui inicijuoti srovės srautą su minimalia įtampa, gerai patenkinti energiją taupančias grandinės dizainus.Šiuolaikinėje elektronikoje, kurioje energijos taupymo būdas dažnai būna priešakyje, ši nuosavybė prisideda prie veiklos išlaidų ir pailginimo akumuliatoriaus veikimo laiką, sumažinant energijos nuostolius įtampos konvertavimo metu.

Ypač perjungimo greitis

Diodo ypač greitas pikosekundės lygio perjungimo greitis yra galutinė savybė.Šis greitas perjungimas įgalina tiesioginius perėjimus, kurie yra tinkami aukšto dažnio programoms, ypač RF ir mikrobangų grandinėms.Sumažindamas latenciją, tai pagerina elektroninių prietaisų greitį ir našumą.Ši savybė liudija nuolatinį puslaidininkių technologijos tobulinimą, kuris pakartoja pramonės progresą link judresnių ir reaguojančių komponentų.

1N5711 specifikacijos

Tipas	Parametras
Gamyklos švino laikas	15 savaičių
Kalno	Per skylę
Smeigtukų skaičius	2
Diodo elemento medžiaga	Silicis
Elementų skaičius	1
Pakuotė	Juosta ir ritė (TR)
Dalies būsena	Aktyvus
Terminacijų skaičius	2
ECCN kodas	Ear99
HTS kodas	8541.40.00.70
Įtampa - reitinguojama DC	70 V.
Dabartinis įvertinimas	15m
PIN kodas	2
Kreipkitės į dengimą	Alavas
Paketas / atvejis	DO-204AH, DO-35, ašinis
Svoris	4.535924G
Suskirstymo įtampa / v	70 V.
Darbinė temperatūra	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
JESD-609 kodas	E3
Jautrumo drėgmės lygis (MSL)	1 (neribotas)
Nutraukimas	Ašinė
Papildoma funkcija	Greitas perjungimas
Talpa	2pf
Terminalo forma	Viela
Bazinės dalies numeris	1N57
Poliškumas	Standartas
Diodų tipas	Schottky - vienišas
Išvesties srovė	15m
Į priekį srovė	15m
Į priekį įtampa	1v
Didžiausia atvirkštinė srovė	200na
Talpa @ vr, f	2pf @ 0v 1MHz
Išorinis skersmuo	1,93 mm
Atvirkštinė įtampa (DC)	70 V.
Ūgis	2 mm
Plotis	2 mm
Spinduliuotės kietėjimas	Ne
LENGVAS NEMOKAMAS	LENGVAS NEMOKAMAS
Galios išsisklaidymas	430MW
Atvejo ryšys	Izoliuotas
Maksimalus atvirkštinės nuotėkio srovė	200na
Atvirkštinio atkūrimo laikas	100 ps
Maksimali pasikartojanti atvirkštinė įtampa (VRRM)	70 V.
Atvirkštinė įtampa	70 V.
Maksimalaus sankryžos temperatūra (TJ)	200 ° C.
Skersmuo	2 mm
Ilgis	4,5 mm
Pasiekti SVHC	Nėra SVHC
ROHS būsena	ROHS3 suderinamas

1N5711 funkcinė bloko schema

1N5711 diodo programos

UHF/VHF signalo aptikimas

1N5711 diodas tampa naudojamas UHF/VHF signalo aptikime, pirmiausia dėl jo greito perjungimo galimybių ir mažos talpos.Šios savybės padeda tobulinti ir patobulinti signalo priėmimą, atspindi gilų aiškesnių telekomunikacijų troškimą.Sumažinus signalo iškraipymą, diodas suteikia geresnį ryšių sistemų našumą, pakartodamas bendrą supratimą pramonės šakose, kai dideli atstumai dažnai būna aiškūs kaip židinio taškas.

Impulsų tvarkymas su plačiu dinaminiu diapazonu

„Pulse“ programose diodo įgūdis valdyti plačią dinaminį diapazoną yra atskiras turtas.Greitas atsakas ir pritaikymas kintančiam signalo intensyvumui leidžia sklandžiai tvarkyti sudėtingas elektronines operacijas.Pamokos iš analoginių ir skaitmeninės grandinės dizaino laukų atkreipia dėmesį į universalų diodo naudingumą, apšviečiant jo dinaminio diapazono valdymą kaip kelią į veiklos tikslumą ir stabilumą.

MOS prietaisų saugumas

1N5711 Diodai Kompetentingai apsaugo jautrius MOS prietaisus nuo žalos dėl įtampos smaigalių - sudėtingas jo dizaino aspektas.„Swift“ atkūrimo laikas užtikrina greitą pereinamojo laikotarpio užspaudimą, užtikrinant patikimą kliūtį nuo viršįtampio grėsmės.Ši savybė yra aktuali energijos elektronikoje, kai strateginis apsaugos priemonių įgyvendinimas tampa beveik tikslumo ritualu.

Agile perjungimas žemo loginio lygio grandinėse

Diodo galimybė efektyviai perjungti žemą loginio lygio grandines daro jį optimaliu pasirinkimu pažaboti galios praradimą ir padidinti grandinės efektyvumą.Vartojimo elektronikoje naudinga jo galimybė išlaikyti vientisumą, tuo pačiu mažinant energijos suvartojimą, sukeldamas naujoves nešiojamuose įrenginiuose.

1N5711 „Diode“ daugialypės programos

Ištyrus įvairius 1N5711 diodų taikymo vietas, jos vaidmuo yra šiuolaikinėje elektronikoje.Sėkmingas sudėtingų iššūkių sprendimas įvairiose programose pabrėžia unikalius reikalavimus pasirinkti ir integruoti komponentus.Šis pasakojimas reiškia nuolatinį mainą tarp teorinių sąvokų ir praktinio įgyvendinimo, vadovaujančio elektroninės inžinerijos pažangų.

1N5711 ekvivalentai ir alternatyvos

Dalis	Gamintojai	Kategorija	Aprašymas
JANTX1N5711-1	Microsemi	TVS Diodai	„Jantx“ serija 70V 33MA per skylę Schottky Diode - DO -35
JANTXV1N5711-1	Microsemi	Diodai	DIODAS SCHOTTKY 70 V 0.033A 2PIN DO-35
NTE583	NTE elektronika	Schottky diodai	„NTE Electronics NTE583 RF Schottky Diode“, vienas, 70 V, 15MA, 1 V, 2pf, DO-35
UF1001-T.	Diodai įtraukė		Per skylę DO-204al, DO-41, ašinis 1 V 50 V 50 NS NO Vieno švino nemokama
1N4001G-T	Diodai įtraukė		Per skylę DO-204Al, DO-41, ašinis 1 V 50 V 2 μs NO Vieno švino nemokama
1N5400-T.	Diodai įtraukė		Per „Hole DO -201ad“, ašinis 1 V 50 V - nėra vieno švino Laisvas

1N5711 matmenys

1N5711 Gamintojo informacija

„Stmicroelectronics“ išsiskiria pažangiausiomis puslaidininkių naujovėmis, formuodama šiandienos elektroninių prietaisų progresavimą.Šioje analizėje pagrindinis dėmesys skiriamas tam, kaip ši įmonė padidina ryšį ir efektyvumą įvairiose pramonės šakose, kartu atskleidžiant platesnį poveikį technologinėje srityje.Svarbus pastebėjimas atsiranda svarstant, kaip „Stmicroelectronics“ siūlo daugybę pasiūlymų: inovacijų ir taikymo derinys pabrėžia jų lyderystę pramonėje.Atlaikius šią pusiausvyrą padidėja jų galimybė pateikti transformacinius sprendimus, skatinant kitus ekosistemų žaidėjus prisitaikyti ir diegti naujoves.Šis strateginis požiūris ne tik suteikia jiems konkurencinį pranašumą, bet ir puoselėja bendradarbiavimo augimą, skatinant sklandų perėjimą prie ateities technologinės aplinkos.

Duomenų lapas PDF

1N5711 duomenų lapai:

Cilindrinės akumuliatorių laikikliai.pdf