2024/11/14 77

Viskas apie IRF530 MOSFET

„IRF530“, patikimas N kanalo MOSFET, išsiskiria „Power Electronics“ domenu dėl savo mažos įvesties talpos ir sumažinto vartų krūvio, padidindamas jo greitųjų perjungimo ir galios valdymo efektyvumą.Idealiai tinka tokioms programoms kaip maitinimo šaltinis, variklio valdikliai ir įtampos reguliavimas, IRF530 suteikia patikimą našumą, sumažinant galios nuostolius ir šiluminį įtempį, kuris padidina sistemos patvarumą.Šis straipsnis įsigilina į IRF530 specifikacijas, PIN konfigūraciją, techninę naudą ir įvairias programas, siūlančias įžvalgas, kad ieškote optimizuoto našumo reiklioje aplinkoje.

Katalogas

IRF530 apžvalga

IRF530, moderniausias N-kanalo MOSFET, atkreipia dėmesį į šiandienos galios elektronikos kraštovaizdį, optimizuodami sumažintą įvesties talpą ir vartų įkrovą.Šis atributas sustiprina jo tinkamumą kaip pagrindinį jungiklį sudėtinguose aukšto dažnio izoliuotuose DC-DC keitikliuose.Didėjant veiksmingo energijos valdymo poreikiui, telekomunikacijų ir skaičiavimo sistemoms vis labiau priklauso nuo IRF530, kad būtų lengviau jų dinamines operacijas.

Pasinaudojęs puslaidininkių technologijos pažangos palikimu, „IRF530“ suteikia patikimą variantą asmenims, siekiančioms padidinti našumą ir sumažinti energijos sąnaudas.Jis pasižymi pažabojus galios praradimą per aukštesnes perjungimo galimybes, kurios skatina integruotų prietaisų ilgaamžiškumą ir stabilumą.

„IRF530“ kruopščiai parengtos projektavimo specifikacijos, pritaikytos aplinkoms, kuriose yra griežtų energijos vartojimo efektyvumo poreikių, tokių kaip telekomunikacijų infrastruktūra ir skaičiavimo aparatūra.Galite įvertinti jo gebėjimą nuosekliai pasiūlyti patikimą išvestį, net ir naudodamiesi didelio streso scenarijais.Tai tampa pagrindiniu duomenų centruose, kai stebint šiluminio valdymo pusiausvyrą kelia pastebimą iššūkį.

PIN konfigūracija

CAD modelis

Simbolis

Pėdsakai

3D vizualizacija

Savybės

Savybė	Specifikacija
Tranzistoriaus tipas	N Kanalas
Paketo tipas	TO-220AB ir kitos pakuotės
Taikoma maksimali įtampa (kanalizacijos šaltinis)	100 V
Maksimalus vartų šaltinio įtampa	± 20 V
Maksimalus nuolatinė kanalizacijos srovė	14 a
Maksimalus impulsinė kanalizacijos srovė	56 a
Maksimali galios išsklaidymas	79 w
Minimali įtampa atlikti	2 v iki 4 v
„Max“ valstybės pasipriešinimas (Kanalizacijos šaltinis)	0,16 Ω
Sandėliavimo ir darbo temperatūra	-55 ° C. iki +175 ° C.

IRF530 taikymo pranašumai

Parametras	Aprašymas
Tipiški RDS (ON)	0,115 Ω
Dinaminis DV/DT įvertinimas	Taip
„Avalanche“ tvirta technologija	Patobulintas patvarumas didelio streso sąlygomis
100% patikrinta lavina	Visiškai išbandytas dėl patikimumo
Mažas vartų mokestis	Reikalauja minimali pavaros galia
Aukštos srovės galimybės	Tinkamas Aukštos dabartinės programos
Darbinė temperatūra	175 ° C maksimalus
Greitas perjungimas	Greitas Atsakymas efektyviam operacijai
Lengva lygiagrečiai	Supaprastina Dizainas su lygiagrečiomis MOSFET
Paprasti pavaros reikalavimai	Sumažina Važiavimo grandinės sudėtingumas

Techninės specifikacijos

Tipas	Parametras
Kalno	Per Skylė
Montavimas Tipas	Per Skylė
Paketas / Atvejis	TO-220-3
Tranzistorius Elemento medžiaga	Silicis
Dabartinis - Nuolatinis kanalizacija (ID) @ 25 ℃	14a Tc
Vairuoti Įtampa (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	10v
Numeris elementų	1
Galia Išsiskyrimas (maks.)	60W Tc
Pasukti Nevilties laikas	32 ns
Veikia Temperatūra	-55 ° C ~ 175 ° C. TJ
Pakuotė	Vamzdis
Serija	„Stripfet ™“ Ii
JESD-609 Kodas	E3
Dalis Būsena	Pasenęs
Drėgmė Jautrumo lygis (MSL)	1 (Neribotas)
Numeris terminacijų	3
ECCN Kodas	Ear99
Terminalas Baigti	Matinis Skarda (Sn)
Įtampa - Įvertinta DC	100v
Viršūnė Regenčių temperatūra (CEL)	Ne Nurodytas
Pasiekti Atitikties kodas	Not_comliant
Dabartinis Reitingas	14a
Laikas @ Peak Reflow temperatūra - maksimalus (-ai)	Ne Nurodytas
Bazė Dalies numeris	IRF5
Kaištis Skaičiavimas	3
JESD-30 Kodas	R-PSFM-T3
Kvalifikacija Būsena	Ne Kvalifikuotas
Elementas Konfigūracija	Vienišas
Veikia Režimas	Patobulinimas Režimas
Galia Išsklaidymas	60W
FET Tipas	N-kanalas
Tranzistorius Paraiška	Perjungimas
RDS On (max) @ id, vgs	160mΩ @ 7a, 10v
VGS (Th) (Max) @ id	4V @ 250 μA
Įvestis Talpos (CISS) (MAX) @ VDS	458pf @ 25v
Vartai Įkrovimas (qg) (max) @ vgs	21NC @ 10v
Pakilti Laikas	25NS
Vgs (Maks.)	± 20 V.
Kritimas Laikas (tipas)	8 ns
Ištisinis Nuteiskite srovę (ID)	14a
JEDEC-95 Kodas	TO-220AB
Vartai į šaltinio įtampą (VGS)	20v
Nusausinkite į šaltinio suskirstymo įtampą	100v
Pulsuotas Nuteisimo srovė - MAX (IDM)	56a
Lavina Energijos įvertinimas (EAS)	70 MJ
Rohs Būsena	Ne Rohs Suderinamas
Švinas Laisvas	Yra Švinas

IRF530 alternatyvos

Dalies numeris	Aprašymas	Gamintojas
IRF530F	Galia Lauko efekto tranzistorius, 100 V, 0,16ohm, 1 elementas, N-kanalas, silicis, Metalo oksido puslaidininkių FET, TO-220AB	Tarptautinis Lygintuvas
IRF530	Galia Lauko efekto tranzistorius, N-kanalas, metalo oksido puslaidininkis FET	Thomsonas Vartojimo elektronika
IRF530PBF	Galia Lauko efekto tranzistorius, 100 V, 0,16ohm, 1 elementas, N-kanalas, silicis, Metalo oksido puslaidininkių FET, TO-220AB	Tarptautinis Lygintuvas
IRF530PBF	Galia Lauko efekto tranzistorius, 14a (ID), 100 V, 0,16ohm, 1-Element, N-kanalas, Silicis, metalo oksido puslaidininkis FET, TO-220AB, ROHS reikalavimus atitinkantis paketas-3	Višay Intertechnologijos
SIHF530-E3	Tranzistorius 14a, 100v, 0,16ohm, N-kanalas, SI, galia, MOSFET, TO-220AB, ROHS atitinka, TO-220, 3 kaiščiai, FET bendrosios paskirties galia	Višay Siliconix
IRF530FX	Galia Lauko efekto tranzistorius, 100 V, 0,16ohm, 1 elementas, N-kanalas, silicis, Metalo oksido puslaidininkių FET, TO-220AB	Višay Intertechnologijos
IRF530FXPBF	Galia Lauko efekto tranzistorius, 100 V, 0,16ohm, 1 elementas, N-kanalas, silicis, Metalo oksido puslaidininkių FET, TO-220AB	Višay Intertechnologijos
SIHF530	Tranzistorius 14a, 100 V, 0,16ohm, N-kanalas, SI, galia, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET bendrosios paskirties galia	Višay Siliconix
IRF530FP	10a, 600 V, 0,16ohm, N-kanalas, SI, galia, MOSFET, TO-220FP, 3 PIN	Stmicroelectronics

IRF530 vertinimo grandinės egzaminas

Neuždaryta indukcinė apkrova

Perjungimo laikas su varžine apkrova

Vartų mokesčio vertinimas

Paraiškos

Maitinimo sistemos

„IRF530“ išsiskiria aplinkoje, kurioje yra dideli srovės poreikiai, todėl jis yra išskirtinai tinkamas nepertraukiamam maitinimo šaltiniams (UPS).Jos įgūdžiai valdant greitą perjungimo veiksmus padidina tiek efektyvumą, tiek patikimumą.Realiuose scenarijuose pasinaudojus šios „Mosfet“ galimybėmis, galima išvengti elektros energijos tiekimo nutraukimo ir išlaikyti stabilumą nenumatytų nutraukimų metu - aspektą, kurį puoselėjate, kai siekiate apsaugoti pagrindines operacijas.

Įjungimo mechanizmai

Solenoido ir relės programose IRF530 yra labai naudingas.Tai tiksliai valdo įtampos smaigalius ir srovės srautą, užtikrinant tikslų aktyvaciją pramoninėse sistemose.Galite įgyti mechaninę įjungimą ir įvertinti šias savybes, kad padidintumėte mašinų reagavimą ir pratęstumėte veiklos gyvenimo trukmę.

Įtampos reguliavimo ir konvertavimo technologijos

IRF530 yra puikus įtampos reguliavimo komponentas ir tiek DC-DC, tiek DC-AC konversijos.Jos vaidmuo optimizuojant galios konversiją yra neįkainojamas, ypač atsinaujinančios energijos sistemose, kur efektyvumas gali žymiai sustiprinti galios išėjimą.Dažnai galite įsigilinti į įtampos moduliacijos subtilybes, kad padidintumėte konversijos efektyvumą ir skatintumėte sistemos patvarumą.

Variklio valdymo programos

Variklio valdymo programose IRF530 yra būtina.Jo diapazonas apima nuo elektrinių transporto priemonių iki gamybos robotikos, palengvinant tikslų greičio moduliavimą ir sukimo momento valdymą.Galite dažnai diegti šį komponentą, pasinaudodami jo greito keitimo bruožais, kad sustiprintumėte našumą, tuo pačiu taupydami energiją.

Garso amplifikacija ir automobilių elektronika

Garso sistemose IRF530 sumažina iškraipymus ir tvarko šiluminę išvestį, užtikrinant, kad garso signalai būtų aiškūs ir sustiprinami.Automobilių elektronikoje jis tvarko pagrindines funkcijas, tokias kaip degalų įpurškimas, stabdžių sistemos, tokios kaip ABS, oro pagalvių diegimas ir apšvietimo valdymas.Galite patobulinti šias programas, kurdami transporto priemones, kurios yra saugesnės ir reaguojančios.

Akumuliatorių valdymas ir atsinaujinančios energijos sistemos

IRF530 įrodo, kad naudojamas akumuliatorių įkrovimas ir valdymas, efektyviai paskirstant energiją ir saugojimą.Saulės energijos įrenginiuose jis sušvelnina svyravimus ir maksimaliai padidina energijos fiksavimą, atspindėdamas tvarios energijos tikslus.Energijos valdymo metu galite išnaudoti šias galimybes, kad optimizuotumėte akumuliatoriaus ilgaamžiškumą ir sustiprintumėte sistemos integraciją.

IRF530 pakuočių įžvalgos

IRF530 paketo dizainas

IRF530 mechaninės specifikacijos

Gamintojas

„Stmicroelectronics“ yra puslaidininkių sferos lyderė, panaudojanti jos gilias žinias apie silicio technologijas ir pažangias sistemas.Ši kompetencija kartu su dideliu intelektinės nuosavybės banku skatina inovacijas sistemoje-chip (SOC) technologijoje.Kaip pagrindinis nuolat besikeičiančio mikroelektronikos srities subjektas, įmonė veikia kaip transformacijos ir progreso katalizatorius.

Pasinaudojusi savo plačiu portfeliu, „Stmicroelectronics“ nuolat įsitraukia į naują lustų dizaino sritį, suplanuodama linijas tarp galimybės ir realybės.Bendrovės nenuoseklus atsidavimas tyrimams ir plėtrai skatina sklandų sudėtingų sistemų integraciją į supaprastintus, efektyvius SOC sprendimus.Šie sprendimai aptarnauja kelias pramonės šakas, įskaitant automobilių ir telekomunikacijas.

Bendrovė demonstruoja strateginį dėmesį į konkrečių pramonės šakų sprendimų kūrimą, atspindinčią tvirtą supratimą apie skirtingus reikalavimus ir kliūtis, su kuriomis susiduria įvairūs sektoriai, kai jie naršo greitai besikeičiančiais technologiniais reljefais.Jų negailestingas naujovių siekimas ir įsipareigojimas tvarumui randa išraišką plėtojant naujus sprendimus.Šios pastangos yra skirtos sukurti efektyvesnes energiją ir atsparias technologijas, pabrėžiant prisitaikymo vertę išlaikant konkurencinį pranašumą.

Duomenų lapas PDF

IRF530 duomenų lapai:

IRF530.pdf

IRF530PBF duomenų lapai:

IRF530.pdf